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기업 분석 및 전망

기업 분석 및 주가 전망 - 하나머티리얼즈 (166090)

by etrue 2021. 1. 19.

기업 개요

Profile

회 사 명 하나머티리얼즈(주)
설 립 일 2007.01.23
대표 이사 오경석
임직원 수 595명(2020.09)
주소 충청남도 천안시 서북구 3공단 3로 42
매출액 1548억 2602만 (2019.12)
주요 품목 실리콘, 실리콘카바이드 소재 일렉트로드, 링
홈페이지 www.hanamts.com/ko

기업 개요 

하나머티리얼즈(주)는 2007년 설립된 반도체 제조용 구조 기능성 소재와 부품을 전문으로 생산하는 기업입니다. 당사는 설립 후 Silicon cathode, Ring을 양산하면서 글로벌 반도체 기업인 삼성전자, SK하이닉스 및 동부하이텍과 파트너십을 맺으면서 성장의 기반을 다졌고, '대구경 잉곳 성장'에 대한 국책 과제 주관기업으로 선정되면서 지속적인 대구경 잉곳 성장을 양산하면서 성장하였습니다. 현재 당사는 반도체 제조 공정 중 핵심 장비인 Dry Etcher용 실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 소재의 일렉트로드, 링 및 파인세라믹 부품 관련 분야 등 독보적인 잉곳 성장 기술과 관련 부품 생산으로 유수의 글로벌 식각장비 제조 회사 및 반도체 제조사에 납품하고 있습니다.

계열회사 현황

하나머티리얼즈의 계열회사 현황입니다. 먼저 반도체 패키징과 테스트 사업을 영위하는 하나마이크론이 당사의 지분 32.75%를 보유하는 최대주주입니다. 기타 10개의 계열회사가 있습니다.

반도체 후공정 업계의 강자인 하나마이크론에 대한 기업 분석 및 정보는 아래 링크를 참조하시면 됩니다.

 

기업 분석 및 주가 전망 - 하나마이크론 (067310)

기업 개요 Profile 회 사 명 하나마이크론(주) 설 립 일 2001.08.23 대표 이사 이동철 임직원 수 737명(2020.09) 주소 충청남도 아산시 음봉면 연안율금로 77 매출액 4981억 9800만 (2019.12) 주요 품목 반도체..

youdiff.co.kr

또한 당사는 지난 2011년 글로벌 반도체 장비 기업인 일본의 도쿄 일렉트론으로부터 전략적 투자 유치를 성공 하면서 도쿄 일렉트론이 당사 지분의 13.89%를 보유하고 있습니다. 

주요 연혁

날짜 내용
2020.02 특수가스 사업 매각
2019.01 580mm Single crystal ingot growing 양산
2018.12 대구경 실리콘 Ingot 전용라인 준공
2018.05 N2O 가스 제조시설 준공
2015.04 특수가스 사업개시 (이노메이트 특수가스사업부문 흡수)
2013.09 SiC 라인 구축
2013.04 하나머티리얼즈(주)로 상호 변경
2011.07 일본 Tokyo Electron社 전략적 투자 유치
2011.06 520mm Single crystal ingot growing 양산 (국내 최초)
2010.10 480mm Single crystal ingot growing 양산
2009.09 미국 Sun Edison社 (구, MEMC) 전략적 투자 유치
2009.09 알본 TEL(Tokyo Electron)사 공급 계약
2009.06 420mm Single crystal ingot growing 양산
2008.12 400mm Single crystal ingot growing 양산
2008.08 대구경 잉곳 성장 국책과제 주관기업 선정
2008.07 동부하이텍 업체 등록
2007.11 삼성전자, SK하이닉스 업체 등록
2007.07 Silicon cathode / Ring 양산
2007.01 하나실리콘(현 하나머티리얼즈) 설립

주요 제품 및 현황

당사의 주요 사업 부문에는 Silicon, Silicon Carbide, Fine Ceramics 분야가 있습니다.

Silicon

반도체 공정에서 사용되는 실리콘은 초고순도의 금속 실리콘으로 원자가 3차원적으로 배열된 단결정 실리콘입니다. 잉곳 성장 설비의 핵심 부품인 Hot Zone(폴리실리콘 용융로) 설계 및 성장 요소 최적화 등 핵심기슬을 보유한 당사는 국내 최초로 직경 520mm 이상의 잉곳을 개발하였습니다.

당사가 제조하는 실리콘 관련 제품에는 일렉트로드(Electrode), 링(Ring), 잉곳(Ingot)이 있습니다.

Etching Process(출처: 당사 보고서)

Electrode는 Plasma Etching 공정에서 가스를 균일하게 흘려주고 Plasma를 균일하게 생성시켜 Wafer에 미세선을 Etching하는 반도체 부품이고, Ring은 Plasma Etching 공정의 핵심 부품으로 Electrode에서 생성된 Plasma가 Wafer에 균일하게 퍼지도록 안내해주는 역할과 하부의 ESC(정전척)을 보호하는 반도체 부품입니다. Silicon Ring 및 Electrode는 소모성 부품으로 Etching 공정의 식각 비율에 영향을 미쳐 반 도체 소자의 수율을 좌우하며, 최근 공정기술의 미세화로 그 중요성이 더욱 부각되고 있으며, 당사가 제공하는 소모성 부품의 수요도 증가될 것으로 전망합니다.

Electrode

Electrode

일렉트로드는 반도체 공정 중 건식 식각 공정을 위해 플라즈마 가스가 실리콘 일렉트로드의 작은 구멍(직경  0.7~0.3mm)을 통해 웨이퍼 표면에 일정하게 분사시켜 주는 역할을 합니다.  

Silicon Ring

Silicon Ring

실리콘 링은 ESC(정전척)의 웨이퍼 주변에 장착되어 플라즈마 밀도의 균일성과 식각 비율을 유지하는 역할을 하며, 일렉트로드를 웨이퍼에 평행하게 고정시켜주는 역할도 합니다.

Ingot

Ingot

당사에서 제조하는 잉곳은 단결정 잉곳(Single Crystal Ingot)과 복합 잉곳(Poly Ingot)이 있습니다.

단결정 잉곳은 용도에 맞게 절단 가공하여 Silicon Electrode, Silicon Ring, Wafer 등의 용도로 사용되며,

폴리 잉곳은 주로 Silicon Ring, part 등에 적용됩니다.

Silicon Parts

제품 명 상세
Silicon Boat LPCVD 공정에 사용되며, 웨이퍼에 박막 증착을 하기위한 부품
Silicon Pedestal Silicon Boat의 베이스로 일정한 온도를 유지하도록 열과 빛을 차단하는 역할
450mm Single Silicon Wafer  

Silicon Carbide

실리콘 카바이드(SiC)는 탄화규소라 하며 Si와 C가 강한 공유결합을 이루고 있으므로 경도 및 강도가 우수하고, 고온에 잘 견디며, 부식이 되지 않는 물성이 우수한 물질입니다. 이러한 물성으로 고온이며 청정한 환경이 필요한 반도체, LED, 태양광 등 다양한 산업분야에 응용되는 소재입니다.

당사는 CVD SiC 코팅 제품 생산 및 특화된 CVC 공법으로 SiC Bulk 제품을 생산하고 있습니다.

Silicon Coating

Silicon Coating

 

CVD-SiC bulk

CVD-SiC bulk

최근 반도체 공정은 수율을 높이기 위해 회로의 미세화가 진행되고 식각에 쓰이는 고주파 플라즈마를 견딜 수 있는 소재에 대한 요구에 대응하기 위해 CVD SiC part 사업을 추진하고 있습니다.

Fine Ceramics

AlN (Aluminum Nitride)

AlN는 비산화물 세라믹으로 금속과 유사한 열전도율을 갖고 있습니다.

절연성, 높은 내식성을 가지고 있어서 반도체 공정 중 건식 식각과 증착 공정에 사용되고 있으며, LED 기판이나 히트 싱크 용으로 사용됩니다.

Al2O3

고순도 산화알루미늄은 99.5% 이상의 순도와 1um 이하의 미세입자로써, 기계적 강도, 내마모성, 내열성 및 절연성이 높습니다. 반도체의 식각 건식 공정 및 증착 공정에 사용되는 제품입니다.

주요 제품 매출 현황

주요 제품 매출 현황

2020년 2월에 특수가스 사업부문은 (주)솔머티리얼즈에 143억 원에 매각되었습니다.

신규(예정) 사업

최근 반도체 공정은 수율을 높이기 위해 회로의 미세화가 진행되고 식각에 쓰이는 고에너지 플라즈마를 견딜 수 있는 소재에 대한 요구도 커지고 있습니다. 이에 당사는 플라즈마 환경에 강한 CVD SiC와 GR SiC 사업을 추진하고 있습니다. SiC Ring은 Silicon Ring과 마찬가지로 반도체 핵심공정인 에칭(식각) 공정에 사용되며, 반 도체 공정의 미세화와 Step수의 증가가 진행될수록 고주파 플라즈마를 견뎌야 하고 공정시간 이 길어지고 있어 일부 공정(깊은 Contact를 가공하는 공정 등)에서 SiC Ring의 채용이 늘어날 전망입니다.

지적재산권 현황

2020년 3분기말 현재 당사가 영위하고 있는 사업 관련 지적재산권은 39건의 특허를 보유하고 있습니다.


고객사 현황

당사는 글로벌 Top Tier 에 위치한 반도체 장비업체 및 제조업체를 고객사로 확보하고 있습니다.

 

글로벌 반도체 제조 업체: 삼성전자, SK하이닉스, 동부하이텍, 매그나칩, 인텔, TSMC, 마이크론

글로벌 반도체 장비 업체: 도쿄일렉트론, 세메스, 어플라이드 머티리얼즈, 램리서치


재무 정보

손익계산서 - 실적

하나머티리얼즈 2020년 3분기 실적

당사의 2020년 3분기 누적 매출액은 1463억 원, 영업이익은 366억 원으로 전년 동기 대비 각각 30.2%, 25.3% 증가했습니다. 코로나19의 영향을 받지 않고 안정적인 성장을 했고, 삼성전자의 자회사인 세메스 향 매출액이 점진적으로 증가하였습니다.

주요 재무 지표

주요 재무 지표

컨센서스

컨센서스

3분기까지의 호실적에 이어 4분기 매출은 538억 원을 달성할 것으로 전망되며, 2020년 연간매출액 2,001억 원으로 사상 최고 매출을 기록할 것으로 추정하고 있습니다.

주가 정보

주가정보(2021.01.18 장종료)

1월 18일 코스닥 시장 전체가 조정을 받으면서 당사의 주가도 소폭 조정을 받으며 0.48% 하락한 31,050원에 마감했습니다. 1월 18일 장종료 기준 시가총액 6,094억 원으로 코스닥 상위 110위 종목입니다.

하나머티리얼즈 일봉차트 (2021.01.18 장종료)

당사의 일봉 차트를 보면 장중 최고점인 31,700원을 터치하고 내려오면서 5일 이평선을 지지하는 모습을 보였습니다. 수급에서는 최근 6거래일 연속 기관이 차익 실현 매물을 던지고 있으나 외국인과 개인이 소화하는 상황입니다. 전반적인 시장 상황도 기관의 차익 매물을 개인이 받고 있는 상황이라 이러한 수급 상황이 진정되기 위해서는 개인의 투자 심리가 전환되어야 하지 않을까 싶습니다. 단기적 대응은 개인적으로 시장의 조정을 예상하면서 29,000원을 지지선으로 보고 조정시 분할 매수하는 전략이 유효해 보입니다.

 


주식 전망 및 투자 전략

투자 포인트

1. 국내 Si-Parts 국산화 및 시장 점유율 1위

2. 글로벌 Top3 장비 업체 및 글로벌 반도체 제조사와의 파트너십으로 안정적 매출

3. 일관 생산 공정을 통한 잉곳 성장의 원가 경쟁력 확보

4. 제품 다변화로 매출 증대 및 안정화: 실리콘 카바이드 (SiC) 사업 본격화 (연간 150억 원 전망)

5. 반도체 장비 및 부품 국산화

- 세메스의 장비국산화 진행에 따른 당사의 식각 공정 부품 수요가 2020년 대비 36% 증가 예상

- 글로벌 외산 장비업체 AMAT 향 부품 국산화에 따른 실리콘 매출 수혜

6. DRAM 미세화 및 3D NAND 고단화에 따른 식각 난이도 및 공정 Step의 증가로 당사의 부품 수요 증가

7. 2021년, 2022년 연간 매출액 사상최고치 경신 예상 


참고 자료


오늘도 이 글을 읽으시는 모든 분들의 성공투자를 기원합니다.

 

 

*** 본 내용은 투자에 대한 참고자료로서 투자에 대한 최종적인 책임은 투자자 본인에게 있습니다 *** 

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