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기업 분석 및 전망

기업 분석 및 주가 전망 - 디엔에프 (092070)

by etrue 2021. 1. 22.

기업 개요

Profile

회 사 명 (주디엔에프
설 립 일 2001.01.05
대표 이사 김명운
임직원 수 240명(2020.09)
주소 대전광역시 대덕구 대화로 132번길 142
매출액 588억 1455만 (2019.12)
주요 품목 반도체 박막재료
홈페이지 www.dnfsolution.com

기업 개요 

당사는 2001년 설립되어 반도체 제조 공정에 필요한 박막 재료를 주요 사업으로 영위하는 기업입니다. 

반도체 미세회로 패턴 구현을 위한 패터닝용 희생막 재료인 DPT, QPT 재료, 캐패시터 유전막 및 Metal Gate 절연막으로 사용되는 High-k 재료, 저온 공정용 SiO/SiN 재료, 웨이퍼 패터닝 시 포토레지스트 보조역할을 하는 하드마스크용 ACL 재료, 확산 방지막, 증착 용 Seed Layer 재료 등을 주로 생산하고 있습니다.

종속회사 현황

당사는 광통신부품 및 무선 통신장비의 제조를 목적으로 하는 켐옵틱스와 기금 운영업을 하는 엘앤디 등 2개의 종속기업 및 공동 기업이 있습니다. 특히 켐옵틱스의 경우 2020년 7월 1일 지분의 50.19%를 확보하였습니다. 켐옵틱스는 5G 이동통신 사업 진출을 위해 전기 전자 분야 강소기업 100에 선정된 기업입니다.

주요 연혁

날짜 내용
2020 BIPV Solar Color Glass 개발
2020 켐옵틱스 주식 취득을 통한 5G 사업 다각화
2013 DRAM Capacitor용 High-k 납품 시작
2013 Low-temp.용 Low-k 소재 납품 시작
2012 Double Patterning Technology 소재 납품 시작
2011 Spin on Dielectric 소재 대만 수출 시작
2010 Spin on Dielectric 소재 납품 시작
2008 ACL용 박막재료 국내 납품 시작(Propylene)
2007 ACL용 박막재료 중국 수출 시작
2007 ACL용 박막재료 국내 납품 시작 (1-Hexene)
2005 Al CVD 전구체 납품 시작
2003 기업 부설연구소 인증
2003 부품 소재 전문기업 인증
2001 회사 설립

주요 제품 및 현황

반도체 재료

당사는 반도체 소자 내 핵심 소재와 웨이퍼의 패턴 공정(Patterning) 공정에 사용되는 재료 등을 개발 및 공급합니다.

디엔에프 제품 별 적용처 - DRAM

Barrier Metal (확산 방지막 재료)

Barrier Metal 

Metallization 형성 시, Metal Ion 또는 산소, 수분 등이 층간 절연막으로 확산되어 절연막이 오염되는 것을 방지하기 위한 재료입니다. 확산방지막은 주변 절연막과 쉽게 반응하여 반도체 소자의 신뢰성을 저하시키는 주요 요인이 되기 때문에, 막의 두께가 균일해야 하고, 반도체 공정이 미세화 할수록 확산 방지막의 사용도 점차 중요해지고 있습니다.

DPT (Dual Patterning Tech.) Material 

DPT Material 

현재로서는 40mm 미만의 미세패턴 구현을 위한 EUV 리소그래피 장비 개발이 어려워 DPT 공정이 도입되었고, 당사는 지난 2012년 이 공정에 필요한 패터닝용 희생막 재료를 개발하여 공급하고 있습니다. 

Electrode Material

Electrode Material

일렉트로드 소재는 메모리 소자에서 전자를 보관하는 캐패시터의 전극 물질로써 접촉 저항이 낮으면서 구조적으로 튼튼한 물질이 요구됩니다. 일반적으로 TiN이 Bottom Electrode로 사용되었으나 최근에는 선폭 미세화에 따른 루테늄(Ru,ruthenium) 및 니오븀(Nb, niobium) 물질에 대한 연구가 진행되고 있습니다. 

Etch Hard Mask Film - ACL Precursor 

Etch Hard Mask Film

반도체 소자의 미세 패턴을 구현하기 위해 도입된 하드마스크용 ACL(Amorphous Carbon Layer: 비정질 탄소 박막) 전구체 입니다. 당사의 ACL Precursor인 1-Hexene과 Propylene은 탄소 함유량이 높아 Etch Resistance가 우수하기 때문에 미세패턴 구현이 용이합니다. 다만, 해당 제품은 2008년 국내외 공급을 시작하여 당사의 주요 매출원이었으나 대체 재료의 사용으로 감소 추세에 있습니다.

GST (Ge2Sb2Te5)

GST

당사의 GST 소재는 PRAM에 사용되는 기억 소자 물질의 Ge2 Sb2 Te5라는 상변화 물질의 재료가 됩니다.

PRAM(Phase-Change RAM): 상 변화 메모리로써, 플래시 메모리와 DRAM의 장점을 결합한 메모리 

Gap Fill Material

Gap Fill Material

반도체 소자 내의 전기적 간섭을 방지하기 위해 사용되는 층간 절연물질입니다. 최근 선폭 미세화에 따라 기존의 CVD 방식으로 증착되던 절연물질이 SOD(Spin on Dielectrics) 방식으로 코팅되고 있으며 그에 따른 소재도 대응하고 있습니다.

High-k for Capacitor

High-k for Capacitor

메모리 캐패시터는 전자를 보관하는 역할로 반도체 소자의 미세화에 따라 캐패시터의 부피가 적어지고 그에 따른 정전용량이 감소하게 됩니다. 이를 극복하기 위해 당사가 개발한 ZrO2 및 HfO2 등의 High-k 물질을 사용하게 됩니다.

High-k for Metal Gate

High-k for Metal Gate

소자가 미세화되면 절연막의 박막화에 따라 Tunneling 현상으로 gate 누설전류가 급격하게 증가하여 문제가 생깁니다. 45nm 이하의 공정에서는 High-k물질을 사용하기 시작했고, 업체별, 공정별로 대응할 수 있는 다양한 소재를 연구하고 있습니다. 절연물질을 Metal 계열의 High-k로 바꾸면서 Gate 물질 또한 변화가 필요하여 Metal Gate로 변경되었습니다.

Low-k

Low-k

소자 미세화에 따른 캐패시터의 크기 축소에 대한 정전용량 해결방안으로는 High-k 물질이 사용되지만, 선폭 미세화에 따라서 Gate delay는 감소하는 반면에 밀집된 배선간의 정전용량과 저항이 증가하는 문제가 발생하여 신호 지연(Total Signal Delay Time) 문제가 생기게 됩니다. 따라서 낮은 유전율과 저항값이 작은 절연물질인 Low-k 재료가 요구됩니다.

Metallization Metal

Metallization Metal

반도체 미세 공정에 따라 증착 방법도 PVD에서 CVD 및 ALD로 전환되었고 이에 대응하기 위해 당사가 개발한 CVD/ALD용 전구체입니다.

PVD: Physical Vapor Deposition
CVD: Chemical Vapor Deposition
ALD: Atomic Layer Deposition

HCDS SiO2 / SiN - 저온 공정용 전구체

SiO2 / SiN

DRAM 및 NAND Flash 메모리의 미세화 및 고단화에 따라 3차원 적층 구조의 도입이 필수적이며, 해당 공정에 당사의 저온 SiO2/SiN 전구체가 적용되고 있습니다. 특히 V-NAND의 경우 적층 수의 증가에 따라 사용량이 증가하고 있어 매출 성장을 기대하고 있습니다.

HCDS(Hexachlorodisilane): 6개의 염화물로 둘러싸인 실리콘 결합으로 구성된 전구체

SOC Material

Spin On Carbon Material

반도체 미세 패턴화에 따라 현재 주로 사용되고 있는 가장 짧은 파장의 ArF 리소그래피 공정은 패턴의 크기가 작아짐에 따라 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상이 발생할 수 있는데, 이를 방지하기 위해서 포토레지스트와 피 식각층 사이에 하드마스크가 도입되었습니다. 

기능성 코팅 및 균일 나노입자 재료

당사는 주력 사업인 반도체용 소재 외에 신규 사업 분야로써 고기능성 코팅제와 균일 나노입자 재료 사업 등에 진출하였습니다.

기능성 코팅 및 균일 나노입자 재료

고기능성 코팅제

각종 소비재 및 산업재용 재료에 코팅하여 경도, 내구성, 내후성 및 내마모성 등 제품의 요구에 부합하는 코팅제를 생산하고 있습니다.

눈부심 방지 코팅제

눈부심 방지 코팅제는 반도체 공정에서 SiO2의 절연막 물질로 사용되며 뛰어난 부착력으로 고기능 코팅재료로 알려져 있는 PHPS(perhydropolysilazane)를 사용하여 터치패널 기재와 재질이 같은 유리막(SiO2)을 코팅한 후 적절한 표면처리를 통해 눈부심 방지 특성을 구현합니다.

당사는 이미 눈부심 방지용 코팅제의 개발을 완료하고 국내 대기업과 공급 계약을 체결하였습니다. 해당 제품은 모바일 커버 글라스에 적용되어 납품 중입니다.

균일 나노입자 재료 

BIPV Solar Color Glass

BIPV Solar Color Glass

건물 일체형 태양광 발전 시스템인 BIPV(Building Integrated Photovoltaic System)에 적합한 다양한 색상의 태양광 모듈 커버글라스를 개발하여 공급하고 있습니다.

디엔에프 Solar Color Glass의 투과율

2020년 개발된 당사의 태양광 모듈 커버글라스는 타사 대비 높은 셀 차폐율과 발전 효율(최대 97%)의 성능을 가지고 있으며, 태양광 셀이 보이지 않기 때문에 기존 건물과 미관상 조화를 이룰 수 있습니다.

신뢰성 평가

상기처럼 태양광 모듈 성능 검사인 KS IEC-612115 평가를 통해 우수한 성능을 인정받았습니다.

당사는 2021년 태양광 모듈 커버글라스를 2021년부터 본격 상용화한다고 밝힘에 따라 새로운 매출원으로 주목받고 있습니다.

주요 제품 매출 현황

매출 실적

당사의 주요 제품별 매출 실적을 보면 지난 3분기 기준 반도체 재료 부문이 596억 원으로 전체 매출의 89.8%, 기타 화학재료가 10억 원으로 1.5% 및 종속회사인 켐옵틱스의 광통신 소자 및 재료 부문이 57.7억 원으로 전체 매출의 8.7% 비중을 차지하고 있습니다.

반도체 전자재료의 주요 매출원은 DPT, HCDS Low Temp. SiO/SiN, High-k, 확산 방지막 등입니다.

생산 능력 및 가동률

2020년 3분기 생산능력 및 실적

당사의 생산 설비는 대전과 울산에 위치하고 있으며, 대전에서는 전 제품을 생산하고 울산지점에서는 ACL 전구체를 생산합니다. 생산 설비의 지난 2020년 3분기 누적 기준 가동률은 73.69%를 기록했습니다.

신규(예정) 사업

Low-Temp SiN 재료 개발 성공에 따른 양산화 예정

반도체 미세화에 따른 수율 문제를 개선하기 위한 차세대 하드마스크 재료 개발 진행

차세대 Metal 재료 개발 글로벌 반도체 장비업체와 공동 진행 

OLED 및 Flexible OLED 소재에 적합한 유연성을 갖는 Barrier 재료 개발 진행

사업 다변화의 일각으로 반도체 공정에 사용되는 SiO2 절연막을 이용한 고 기능성 코팅제 개발 

눈부심 방지용 코팅제: 국내 대기업과 공급 계약 체결 후 납품 중

연구 개발 활동 

지적 재산권 현황

당사는 2020년 11월 현재 당사의 사업과 관련된 56건의 특허를 보유하고 있습니다.

연구 개발 활동

당사는 지속적인 연구개발을 목적으로 동종업종과 비교할 때 매출액 대비 높은 비중의 연구개발비를 투자하고 있습니다. 2018년 9.69%, 2019년 11.93% 및 2020년 3분기에는 8.54%에 해당하는 비용을 연구개발에 투자하고 있습니다. 


재무 정보

손익계산서 - 실적

디엔에프 2020년 3분기 실적

2019년 전방산업의 DRAM 공급 과다로 당사의 실적에도 영향을 받았으나 2020년 들어 턴어라운드 한 상황입니다. 2020년 3분기 누적 기준 매출액은 664억 원으로 전년 동기 대비 52.4% 증가했고, 영업이익은 88억 원으로 155% 증가했습니다.

주요 재무 지표

주요 재무 지표

3분기 누적 매출은 이미 2019년 연매출을 넘어섰고, 2020년 연 매출 컨센서스는 964억으로 전년 대비 64% 증가하는 것으로 내다봤습니다.

2021년 컨센서스 기준 매출액은 1,450억 원으로 50.4% 증가하면서 사상 최고치를 경신할 것으로 기대하며, 영업이익은 238억 원으로 87.4% 증가하는 것으로 추정했습니다. 

주가정보

디엔에프 주가 정보(2021.01.21 장종료) 

1월 21일 장 종료 기준 외국인 지분율은 16.42%, 시가총액 2,712억 원으로 코스닥 351위 종목입니다. 

일봉 차트 (2021.01.21)

수급에서는 지난 5 거래일 동안 연기금과 투신 등 기관의 매수세가 강했고, 외국인은 팔았습니다. 11월 말에 공시를 통해 크레디트 스위스가 5% 이상 매수하면서 대주주에 등재되기도 하였고 현재 크레딧 스위스는 6.12%를 보유하고 있습니다. 또한 1월 초에는 Societe Generale 이 4.9%를 보유하면서 신규 보고 되었습니다.  일봉 차트에서는 지난해 12월 23일부터 이평선 정배열된 상태로, 5일 이동평균선을 걸친 상태로 꾸준히 상승 추세를 보이고 있습니다. 그간의 가파른 오름세에 따라 2021년 컨센서스는 어느 정도 반영된 가격이라고 생각됩니다. 하지만 끊임없이 진행되고 있는 반도체 미세화, 고적 층화에 대응하는 당사의 지속적인 국산화 노력에 따라 당사의 중장기 주가의 방향이 결정될 것으로 봅니다. 시장 조정에 따른 하락시 분할 매수 전량을 생각하고 있습니다.

디엔에프 주봉 차트


주식 전망 및 투자 전략

투자 포인트

1. 일본의 대 한국 수출 제재에 따른 불산과 High-k 가 대표적 국산화 소재, 고속 성장 기대 

2.  당사의 주력 제품인 전구체란 웨이퍼 상에 적층을 할 때 필요한 물질로, 고단화 미세화 될수록 많이 사용해야 됨 - DRAM, V-NAND 미세화 고단화 수혜, EUV 소재 수혜

3. 일본 Adeka의 독점적 물량(80%)을 대체할 수 있는 국내 업체는 디엔에프 - Low-Temp. SiO2 / SiN 

    장기적 성장 가능성 충분.

4. 삼성전자 평택 라인 증설에 따른 매출 증대: NAND 향 신규 소재 (2021년 후반기)

5. 2020년 7월 인수한 켐옵틱스 - 5G 시대 개화

6. 고객사 다변화를 통한 매출 극대화 - 대만 TSMC, Inotera, Winbond, Nanya, 중국 SMIC

7. 차세대 메모리(PRAM)를 위한 소재 개발을 위해 삼성전자와 선행 공동 연구 진행 중

8. BIPV, 고기능성 코팅 등 신규 사업 분야의 진출 기대


참고 자료


오늘도 이 글을 읽으시는 모든 분들의 성공투자를 기원합니다.

 

 

*** 본 내용은 투자에 대한 참고자료로서 투자에 대한 최종적인 책임은 투자자 본인에게 있습니다 *** 

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